У нас вы можете посмотреть бесплатно 1-нм транзистор Китая: Прорыв после закона Мура для питания будущего ИИ или скачать в максимальном доступном качестве, видео которое было загружено на ютуб. Для загрузки выберите вариант из формы ниже:
Если кнопки скачивания не
загрузились
НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ или обновите страницу
Если возникают проблемы со скачиванием видео, пожалуйста напишите в поддержку по адресу внизу
страницы.
Спасибо за использование сервиса ClipSaver.ru
Охватывает фундаментальный сдвиг в полупроводниковой технологии, выходящий за рамки миниатюризации кремния. Ключевые моменты: Прорыв Пекинского университета в области 1-нм ферроэлектрического транзистора. Рекордно низкое энергопотребление (0,45 ФДж) при 0,6 В. Преодолевает физические пределы кремния ниже 5 нм (квантовое туннелирование, тепло). Основная инновация: механизм нанозатвора концентрирует электрическое поле. Решает 20-летнюю проблему высокого напряжения в ферроэлектрических материалах. Технологический стек: 2D-материалы (например, MoS2) на гетероструктуре Ван-дер-Ваальса. Стратегический контекст: Интеллектуальный суверенитет Китая для обхода санкций. Глобальное влияние: Потенциальное решение энергетического кризиса, вызванного ИИ.