Биполярные транзисторы (BJT). Изменения hFE в зависимости от Vce (084a) скачать в хорошем качестве

Биполярные транзисторы (BJT). Изменения hFE в зависимости от Vce (084a)

При анализе маломощных цепей с биполярными транзисторами (BJT) разумно предположить, что коэффициент усиления по току (hFE или бета) транзистора имеет фиксированное значение во всем рабочем диапазоне. Однако при больших колебаниях напряжения коллектор-эмиттер (Vce) это предположение становится неверным. Цель этого видео — продемонстрировать это явление. Я начну с моделирования в LTSpice. Затем я использую свой характериограф транзисторов со случайно выбранной группой транзисторов 2N3904. Я провожу сканирование зависимости hFE от Vce для каждого из 14 выбранных транзисторов и сохраняю данные в текстовый файл для анализа в Excel. Я покажу вам результаты этого анализа. Наконец, я модифицирую модель транзистора 2N3904 в LTSpice, чтобы она соответствовала среднему значению hFE, полученному для моих реальных транзисторов при Vce 10 вольт. Затем я сравню результаты с данными, полученными с помощью характериографа. ========================================== Временные маркеры для вашего удобства --------------------------- 00:05 Вводные комментарии 01:14 Анализ с помощью LTSpice 04:56 Анализ реальных транзисторов 07:07 Различия с LTSpice 08:25 Рефакторинг симуляции LTSpice 09:16 Заключительные комментарии и Toodle-Oots