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삼성 3나노 안정화 성공, 이제 로직 패키징까지 가져오나? TSMC의 균열

TSMC의 3나노 FinFET 공정은 안정화 단계에 접어들었지만, 업계에서는 이미 한계 신호가 감지되고 있습니다. 반면 삼성전자의 3나노 GAA 공정은 빠르게 안정 단계에 진입하며 발열과 수율 문제를 모두 잡아냈다는 평가를 받고 있습니다. 이번 영상에서는 ▪ FinFET 구조의 근본적 한계 ▪ GAA의 열 분산·전력 효율 개선 효과 ▪ HBM·로직 패키징까지 이어지는 기술 확장 ▪ 그리고 TSMC와 삼성의 3나노 전쟁 구도 를 깊이 있게 다룹니다. 🎵 BGM Information Music: "Future Guardian" by Iros Young Licensed by Uppbeat (https://uppbeat.io/t/iros-young/futur...) License code: OSHCS7U6DBL275HZ This track is fully cleared for monetization under Uppbeat’s license terms. #삼성3나노 #GAA #TSMC #파운드리 #삼성전자 #반도체기술 #로직패키징 #IT뉴스 #Samsung3nm #GAAFET #TSMCvsSamsung #SamsungFoundry #Foundry #Semiconductor #TechNews

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