Bobsien Ensina S01E12 - Esquemático e LVS das células criadas - MagicVLSI скачать в хорошем качестве

Bobsien Ensina S01E12 - Esquemático e LVS das células criadas - MagicVLSI

Neste Bobsien Ensina da série Magic VLSI, realizamos uma rodada de LVS com NetGen e XCircuit, criando os esquemáticos para todas as portas lógicas criadas em nossos vídeos. A criação dos esquemáticos proporciona a possibilidade de realizar o LVS, de modo a conferir se o Layout criado no MagicVLSI está correto. Desta forma, é possível criar projetos grandes utilizando os esquemáticos criados para as células, e agrupando-os. Esta é uma características presente nas ferramentas comerciais e proporcionada pelo XCircuit ao MagicVLSI. Siga-nos nas redes sociais Twitter: @BobsienPED Facebook: /Bobsien Site: www.bobsien.com.br Regras https://www.mosis.com/files/scmos/scm... Abrir o Magic VLSI magic inverter -T SCN4M_SUBM.20 Extração extract all Extração para LVS extraco no capacitance no resistance Comandos utilizados na console do Magic paint: Para desenhar alguma forma paint nwell (poço N) paint pdiff (Difusão P) paint pdcontact (contato de difusão P com M1) paint pwell (Poço P, em substrato P não é necessário) paint ndiff (Difusão N) paint ndcontact (contato de difusão N com M1) paint poly (Polisilício) paint nwc (contatos com poço/substrato (bulk)) paint pwc (contatos com poço/substrato (bulk)) paint pdm12c (contato que liga difusão P ao metal 1 e 2) paint ndm12c (contato que liga difusão N ao metal 1 e 2) paint m2c (Contato que liga M2 a M1) paint pm12c (contato que liga Poly a M1 e M2) comandos do Magic expand (expande/exibe células instanciadas) load inverter (Abre uma célula) getcell inverter (instancia uma celula) move (up,down,left,right) XLambda (move cursor no plano, em conjunto com select, move a área selecionada) select area (aponta seleção de área previamente "selecionada" com o cursor) Algumas regras básicas: Para um transistor mínimo Será limitado pelo tamanho do contato Contato - 4x4 lambda Contato até Poly - 1 lambda Poly - 2x8 lambda nwell é limitado pelo tamanho da difusão nwell edge até pdiff edge - 6 lambda Largura Tamanho Difusao = 4 + 4 + 1 + 1 + 2 =12 lambda nwell = 12 + 6 + 6 = 24 lambda Regra de Scaling Wp = 1,5*Wn nmos = minimo = 4lambda (limitado pelo tamanho do contato) pmos = 1,5*4 = 6lambda ESFORÇO LOGICO Transistores em Serie devem ter sua dimenção aumentada pelo fator de vezes corresponde ao numero de transístores em série. Dois Transístores em série, devem ter 2x o tamanho "original". Para uma célula padrão, adotaremos ma altura de 14 microns Sendo 1 lambda = 0.2Microns Altura = 14/0.2 = 70lambda Para os metais de alimentação Contato deve ter espaçamento de 3 lambda da difusão Assim Contato = 4lambda Borda = 3 lambda W metal = 4 + 3 + 3 = 10 lambda Desta forma, sobram 50 lambda para os transistores e roteamento IRSIM _______________________________________ Abrir o IRSIM irsim tsmc35.20.n98t.3.3.prm Exemplo Script: ____ stepsize 4ns l gnd h vdd w in out d l in s h in s l in s h in s NGSPICE - Script _____________ *Biblioteca TSMC035 SUBM - MOSIS .include '/vlsi/libs/tsmc35.sp' *LAYOUT .include buff.spice *** Para transistores ideais *.model nfet NMOS *.model pfet PMOS *Fonte V1 vdd 0 3.3V *v2 vss 0 0V v3 gnd! 0 0V *Sinal de entrada v4 in gnd pulse(0 3.3 0 100p 100p 1.9n 4n) *Capacitor de carga na saida C10 out gnd 80fF *Parametros de simulacao .TRAN 10p 12n Algumas referências ___________________________________ Livro bem completo sobre projeto VLSI Digital Integrated Circuits. A Design Perspective, Jan. M. Rabaey ___________________________________ Iivro Intel 6080 - VLSI Systems Design http://www.ece.uprm.edu/~mjimenez/ine...