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SiC和GaN功率元件在電源供應器上的應用─東芝電子

生成式AI為IT設備的電源子系統設計帶來巨大考驗，在電源供應器(PSU)與主機板上的負載點(POL)之間的每一個電源轉換環節，甚至是設計過程中的測試驗證，都需要與時俱進，導入新的技術與設計觀念。舉例來說，在電源供應器方面，為提高直交流轉換效率，越來越多業者開始採用碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)這類寬能隙元件，但這些新世代功率元件不僅需要新的測試方式，同時也需要搭配新的轉換電路拓撲，甚至是磁性元件，才能發揮其全部潛力。 同樣的情況也出現在直流轉換與穩壓環節。採用最先進製程的新一代處理器，不管是CPU、GPU或APU，工作電壓往往只有1V上下，卻需要汲取動輒數百A的峰值電流。這意味著直流轉換設計不只要有好的效率、精準穩定的輸出電壓，而且還必須想盡辦法降低傳輸路徑上的阻抗。因此，直流轉換跟穩壓方案不僅持續推陳出新，與主晶片共同封裝(Co-package)的作法，更被視為不可避免的發展趨勢。 ●活動名稱：高效能電源設計論壇 ●主題：SiC和GaN功率元件在電源供應器上的應用 ●主講人：【東芝電子工程部經理/上新原 崇Kamishinbara Takashi】 ●會後報導連結： https://bit.ly/4hFmrWf #TOSHIBA #東芝電子 #MCU #AI #電源 #psu #新電子 📍即刻關注產業最新動態🔥🔥🔥 新電子科技雜誌官網👉https://bit.ly/2ZtbUrx 新電子科技雜誌FB👉https://bit.ly/2ONoYpn