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HBM 시대 끝날까? 인텔이 칼 갈고 준비한 'ZAM'의 정체

인텔은 차세대 메모리 기술인 'Z 앵글 메모리(ZAM)' 관련 핵심 특허를 잇달아 취득하며 시장 선점에 나섰습니다. 이 기술은 기존 고대역폭메모리(HBM)의 고질적인 문제인 발열과 전력 소모를 해결하기 위해 다이를 사선 형태로 연결하고 필요한 부분만 활성화하는 방식을 채택했습니다. 소프트뱅크와 공동 개발 중인 ZAM은 제조 공정을 단순화하면서도 성능을 높여 AI 메모리 시장의 판도를 바꿀 대안으로 주목받고 있습니다. 인텔은 2030년 상용화를 목표로 독자적인 기술 장벽을 구축하여 후발 주자들의 추격을 차단하려는 전략을 펼치고 있습니다. 이는 단순한 구조 개선을 넘어 패키징 기술 혁신을 통해 미래 반도체 주도권을 확보하려는 시도로 풀이됩니다. 출처 : 인텔, 차세대 메모리 'ZAM' 기술 장벽 쌓는다…특허 선제 확보, 전자신문 https://n.news.naver.com/mnews/articl... #인텔 #ZAM #HBM #차세대메모리 #반도체 #특허 #소프트뱅크 #AI반도체 #저전력메모리 #전자신문

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