У нас вы можете посмотреть бесплатно Электрооптический модулятор на кольцевом микрорезонаторе - Артем Сушков или скачать в максимальном доступном качестве, видео которое было загружено на ютуб. Для загрузки выберите вариант из формы ниже:
11.06 MB
52.86 MB
103.33 MB
Если кнопки скачивания не
загрузились
НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ или обновите страницу
Если возникают проблемы со скачиванием видео, пожалуйста напишите в поддержку по адресу внизу
страницы.
Спасибо за использование сервиса ClipSaver.ru
Конференция ХОЛОЭКСПО 2024 Секция №5 «Интегральная фотоника» Доклад №5.4. Исследование быстродействия электрооптического модулятора на кольцевом микрорезонаторе из тонкопленочного ниобата лития на изоляторе Сушков Артем Александрович, к. ф.-м. н., Юрасов Д.В., Крюков Р.Н., Павлов Д.А. Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород Аннотация: Сформированы и исследованы гетероструктуры AIIIBV/Ge/Si на подложке «кремний-на-изоляторе» для оптимизации параметров роста слоев AIIIBV на основе GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Отечественные подложки «кремний-на-изоляторе» изготовлены по технологии Smart Cut. Слои Ge/Si выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием режима двухстадийного роста Ge. Установлены параметры роста эпитаксиальных слоев АIIIВV, способствующие аннигиляции основной плотности антифазных границ в пределах толщины буферных слоев, и параметры in-situ отжига, способствующие уменьшению плотности антифазных границ. Впервые продемонстрирована фотолюминесценция при комнатной температуре от квантовых ям InGaAs/GaAs гетероструктуры АIIIВV/Ge/Si, выращенной на подложке «кремний-на-изоляторе». #Радиофотоника #Кремниевая #фотоника #Гибридная #гетероструктура #GaAs/Ge/Si #Кремнийнаизоляторе» #МОСгидридная #эпитаксия #Просвечивающая #электронная #микроскопия #Атомносиловаямикроскопия #AFM 12 сентября 2024, Казань https://holoexpo.ru/