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清水五条、出町柳にて。 撮影:2023年11月・12月 調べたところ、SiCという用語は本来GTOやIGBTと同格のものではないようです。 SiCは炭化ケイ素、すなわち制御装置の半導体に使われる材料の名前であり、GTOやIGBTは半導体を用いて作られた部品(パワーデバイスと呼ばれる)です。 電車のVVVFインバータ制御装置に使われてきたGTOやIGBTのようなパワーデバイス(電力の制御や変換を行う半導体素子)にはSi(ケイ素)が使用されていましたが、近年になって、IGBTに相当するパワーデバイスとしてSiCを使用するものが登場するようになりました。 鉄道業界では特に、パワーデバイスの一部にSiCを使用したものが「ハイブリッドSiC素子」、全てにSiCを使用したものが「フルSiC素子」と呼ばれているようですが、この2つは炭化ケイ素という材料そのものではなく炭化ケイ素を使ったパワーデバイスを指しているということになります。ここがSiCをGTOやIGBTと並列に扱いたくなる原因なのかもしれません。 難しいですね。