ECE 606 Твердотельные приборы L8.1: Зона Бриллюэна и обратная решетка – одномерные задачи скачать в хорошем качестве

ECE 606 Твердотельные приборы L8.1: Зона Бриллюэна и обратная решетка – одномерные задачи

Это видео является частью курса «ECE 606: Физика твердого тела», который ведет Герхард Климек в Университете Пердью. Курс доступен на nanoHUB.org по ссылке https://nanohub.org/courses/ece606 или на edX по ссылке https://www.edx.org/course/solid-stat... Содержание: 00:00 S8.1 Зона Бриллюэна и обратная решётка 00:10 Раздел 8 Зона Бриллюэна и обратная решётка 00:38 Одномерная зона Бриллюэна и число состояний 02:24 Одномерная зона Бриллюэна и число состояний 02:52 Одномерная зона Бриллюэна и число состояний 03:17 Напоминания о преобразовании Фурье 06:13 Ключевые концептуальные этапы 07:23 Раздел 8 Зона Бриллюэна и обратная решётка 07:51 Раздел 8 Зона Бриллюэна и обратная решётка Этот курс представляет собой введение для выпускников для понимания, анализа, описания характеристик и проектирования работы полупроводниковых приборов, таких как транзисторы, диоды, солнечные элементы, светоизлучающие приборы и другие. Материал будет интересен в первую очередь студентам-электрикам, интересующимся применением полупроводниковых приборов в схемах и системах. Курс основан на физических принципах, содержит выводы математических описаний и позволяет студентам количественно анализировать внутренние процессы в устройствах, анализировать их характеристики и приступать к проектированию устройств с учетом конкретных критериев эффективности. Пользователи, работающие в сфере технологий, получат представление о физике полупроводников, лежащей в основе создания устройств. Разработчики полупроводниковых технологий могут найти его полезной отправной точкой для более глубокого изучения физики конденсированного состояния, статистической механики, термодинамики и материаловедения. Курс представляет собой взгляд на полупроводники с точки зрения электротехники, но также может быть полезен и для специалистов в других областях в качестве введения в подход, который направлял развитие полупроводниковых технологий на протяжении более чем 50 лет.