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[앵커] 삼성전자가 평택 4공장(P4)에 월 12만 장 규모의 신규 D램 라인을 구축하며, 6세대 고대역폭메모리(HBM4)의 시장 주도권 탈환을 위한 승부수를 던졌습니다. 설계부터 파운드리, 패키징을 하나로 묶는 삼성의 턴키 전략이 SK하이닉스와 TSMC의 공동 전선에 맞서 인공지능(AI) 메모리 시장의 판도를 바꿀 수 있을지 주목됩니다. 김혜영 기잡니다. [기자] 삼성전자가 평택캠퍼스 4공장에 내년 1분기까지 월 10만~12만 장의 웨이퍼를 생산할 수 있는 규모의 신규 생산 라인을 세울 계획인 것으로 알려졌습니다. 이 생산 라인에선 HBM4에 들어가는 최선단 1c(10나노급 6세대) D램을 만들 것으로 관측됩니다. 삼성 전체 생산 능력의 20%에 달하는 규모입니다. 이번 투자는 단순히 양적 팽창을 넘어, HBM4 시장의 표준을 선점하겠다는 전략적 포석이 깔렸다는 분석이 나옵니다. 핵심은 메모리 설계와 파운드리, 첨단 패키징을 한 번에 해결하는 이른바 원스톱 턴키 솔루션. HBM4부터는 두뇌 역할을 하는 하단 베이스 다이에 로직 공정이 필수적인데, 삼성은 이를 사업부 간 협업으로 내재화했습니다. 여러 업체를 거칠 필요 없이 삼성 한 곳에서 통합 공정을 진행해 납기 기간을 줄이고 최적화 효율을 높이는 방식입니다. 기술적으로는 1c 공정 D램을 선제 도입해, SK하이닉스의 수율 공세에 초격차 전략으로 맞섰습니다. 반면 시장 1위 SK하이닉스는 대만 TSMC와 손잡고 고객사 맞춤형 연합군 전략을 더욱 공고히 하고 있습니다. 삼성의 수직 계열화 전략과 하이닉스의 수평적 생태계 전략이 시장 패권을 두고 맞붙은 셈입니다. 삼성의 과제는 최첨단 1c 공정의 초기 수율을 얼마나 빠르게 안정화하느냐에 달려 있습니다. 하이닉스는 압도적 수율을 유지하면서도, 외부 파운드리 협력에 따른 소통 비용과 IP 보안 문제를 관리해야 하는 상황. 업계는 삼성의 물량이 본격 쏟아지는 2026년 하반기를 글로벌 AI 반도체 점유율의 지각변동 시점으로 보고 있습니다. 평택과 청주에서 펼쳐지는 보이지 않는 경쟁에 한국 반도체 산업의 향후 10년이 걸려 있다는 분석입니다. 서울경제TV 김혜영입니다. /hyk@sedaily.com [영상편집 이한얼]