Металлогалогениды перовскитного типа для фотоэлектрических и оптоэлектронных устройств | А.К.М. А... скачать в хорошем качестве

Металлогалогениды перовскитного типа для фотоэлектрических и оптоэлектронных устройств | А.К.М. А...

Доклад был представлен на Национальной конференции по физике - 2021 (6-7 августа 2021 г.), организованной Бангладешским физическим обществом. Название: Металлогалогениды перовскитного типа для фотовольтаики и оптоэлектронных устройств Докладчик: А.К.М. Актер Хоссейн Место работы: Кафедра физики, Бангладешский университет инженерных и технологических наук (BUET), Бангладеш Полную презентацию можно посмотреть по ссылке:    • National Conference of Physics-2021   Аннотация: Металлогалогениды перовскитного типа обладают удивительными оптоэлектронными свойствами, такими как регулируемая ширина запрещенной зоны, высокое оптическое поглощение, широкий спектр поглощения, механическая стабильность и высокая пластичность. Эти материалы можно описать общей формулой ABX3, где A — катион, B — ион металла, а X — анион галогена. Эти материалы нетоксичны, широко распространены в природе и недороги. Таким образом, для изготовления солнечных элементов эти материалы будут экономически выгоднее и эффективнее по сравнению с кремниевой фотоэлектрической технологией. Расчеты методом теории функционала плотности (DFT) на основе первых принципов для галогенидов CsGeCl3, легированных Mn и Ni, показывают, что край поглощения как легированного Ni, так и легированного Mn CsGeCl3 смещен в сторону низкоэнергетической области (красное смещение) относительно исходного образца. Аналогичное поведение наблюдается также в легированном Cr и Mn CsSnCl3. Механические свойства показывают, что легированные образцы механически стабильны и пластичны, как и исходные CsGeCl3 и CsSnCl3. Электронные свойства показывают, что возбуждение фотоэлектронов происходит легче благодаря образованию промежуточных состояний в легированном Mn CsGeCl3 и легированном Cr и Mn CsSnCl3. В результате легированные марганцем CsGeCl3 и CsSnCl3 демонстрируют более высокую поглощательную способность в видимом диапазоне по сравнению с соответствующим исходным образцом. Детальное исследование показывает, что легированные марганцем перовскиты CsGeCl3 и CsSnCl3 являются подходящими кандидатами для применения в высокоэффективных солнечных элементах и ​​других потенциальных оптоэлектронных устройствах. Ключевые слова: CsGeCl3, перовскит CsSnCl3, DFT, легирование металлами, электронные свойства, оптические свойства, механические свойства.