У нас вы можете посмотреть бесплатно Powerful Knowledge 8 - Gate oxide and threshold voltage instabilities in SIC power MOSFETs или скачать в максимальном доступном качестве, видео которое было загружено на ютуб. Для загрузки выберите вариант из формы ниже:
Если кнопки скачивания не
загрузились
НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ или обновите страницу
Если возникают проблемы со скачиванием видео, пожалуйста напишите в поддержку по адресу внизу
страницы.
Спасибо за использование сервиса ClipSaver.ru
In this episode, Jose from Warwick University discusses some of the issues around behaviour of gate oxide in silicon carbide power MOSFETs. The control gate of silicon carbide is more fragile than normal FETs so care must be taken to ensure drive voltages are carefully managed. Other effects such as gate threshold voltage shift are discussed in some depth.