Свойства дислокаций в кремнии и инженерия дефектов для солнечных элементов скачать в хорошем качестве

Свойства дислокаций в кремнии и инженерия дефектов для солнечных элементов

Докладчик - Виталий Владимирович Кведер (Институт физики твердого тела РАН им. Ю.С. Осипьяна, Черноголовка) Полное название: "Свойства дислокаций в кремнии и инженерия дефектов для солнечных элементов из мультикристаллического кремния" Аннотация «Чистые технологии» и «возобновляемая энергетика» сейчас становятся очень «горячими» областями инвестиций. Ожидается, что через 20-30 лет солнечная энергетика войдет в число основных источников электроэнергии для человечества. Более 90% солнечных элементов изготавливаются из кремния, что связано c его большой распространенностью в природе, низкой токсичностью и стоимостью, достаточно большим (до 23%) кпд кремниевых элементов и их длительным сроком службы (более 50 лет). Основная задача исследований в области солнечной энергетики связана с необходимостью дальнейшего снижения себестоимости солнечных модулей. Снижение себестоимости приводит к росту рынка и к стремительному росту производства. Сейчас производство солнечных батарей растет экспоненциально и удваивается каждые 2 года. За 20 лет мощность установленных солнечных модулей выросла в 1000 раз и превысила 200 ГВт Для снижения себестоимости, солнечные элементы пытаются изготавливать из все более дешевого кремния, содержащего много дефектов и примесей. Изготовление солнечных элементов с высоким кпд из такого кремния возможно лишь за счет развитие «инженерии дефектов», основанной на глубоком фундаментальном понимании свойств различных дефектов и примесей. Цель доклада – кратко познакомить коллег из смежных областей с некоторыми свойствами дислокаций в кремнии и особенностями «инженерии дефектов», применяемой при изготовлении высокоэффективных солнечных элементов из кремния, содержащего дислокации. V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt and W. Schroeter, Applied Physics Letters, 84(12), 2106-2108 (2004) Michael Seibt, Reda Khalil, Vitaly Kveder , Wolfgang Schroeter, ”Electronic states at dislocations and metal silicide precipitates in crystalline silicon and their role in solar cell materials”, Applied Physics A96, 235-253 (2009) *Michael Seibt and Vitaly Kveder - Chapter 4: in the book “Advanced Silicon Materials for Photovoltaic Applications”, Edited by Sergio Pizzini, Wiley (John Wiley & Sons Ltd), ISBN 9780470661116, published in 2012 *Kveder V., Khorosheva M., Seibt M. «Concerning vacancy defects generated by moving dislocations in Si» Materials Today: Proceedings 5, 14757–147645 (2018) (DOI: 10.1016/j.matpr.2018.03.065) Семинар по физике конденсированного состояния от 23.10.2019 на Физическом факультете МГУ имени М.В. Ломоносова. http://cm.phys.msu.ru