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DRAM 밀도, 10나노 대에서 계속 줄어들기 힘든 이유... HBM이 답인가 | 3D DRAM과 Processing-in-Memory

무어의 법칙을 따라 10년 동안 100배 밀도 증가해온 DRAM은 최근 10년동안 2배밖에 증가하지 못했는데요. 1T1C 구조에서 특히 캐패시터의 경우 길죽한 모양으로 미세화가 더욱 어려운 지경입니다. 더군다나 DRAM 특성 상 30~40ms 마다 끊임없이 refresh를 해야 데이터가 지속 저장되기 때문에 이를 잘 Control하기 위해 가장 널리 사용되는 Sense Amplifier의 미세화도 어려운 상황인데요. DRAM이 현재 만난 한계점, 10나노대에서 아주 조금씩 줄어드는 상황을 정리하며 향후 DRAM 개발 방향에 대해 정리해보았습니다. #무어의법칙 #DRAM #HBM 이전 영상 ㅡ 디램 역사 원리 • HBM은 비효율적... 그러나 이렇게라도 | 10년에 100배 밀도... Written by Error Edited by 이진이 [email protected]

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