У нас вы можете посмотреть бесплатно GaN, SiC и перспективная силовая электроника — МИЭТ и передовые исследования в области полупровод... или скачать в максимальном доступном качестве, видео которое было загружено на ютуб. Для загрузки выберите вариант из формы ниже:
Если кнопки скачивания не
загрузились
НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ или обновите страницу
Если возникают проблемы со скачиванием видео, пожалуйста напишите в поддержку по адресу внизу
страницы.
Спасибо за использование сервиса ClipSaver.ru
Россия делает значительный шаг к укреплению своего отечественного полупроводникового потенциала, и в центре этих усилий находится Московский институт электронной техники (МИЭТ). В этом видео мы подробно рассматриваем новое соглашение о научно-исследовательских и опытно-конструкторских работах, посвященное передовым полупроводниковым структурам на основе нитрида галлия (GaN) и нитрида алюминия-галлия (GaAlN). Этот проект является частью более широкой инициативы Российской академии наук по разработке высокопроизводительных транзисторных технологий с использованием передовых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и кремний (Si). Эти материалы необходимы для создания силовой электроники следующего поколения, способной работать при более высоких напряжениях, частотах и температурах, чем традиционные системы на основе кремния. Мы объясняем, как методы эпитаксиального роста, в частности, органометаллическая газофазная эпитаксия, используются для создания слоистых полупроводниковых структур. В видео также рассматривается важность нормально разомкнутых и нормально замкнутых транзисторов и почему эти конструкции важны для реальных применений, таких как электромобили, системы возобновляемой энергии, телекоммуникации и оборонная электроника. Роль МИЭТ имеет решающее значение, поскольку этот институт является лидером в России в разработке силовых транзисторов на основе гетероструктуры A3N. От физического моделирования до изготовления реальных устройств, МИЭТ предоставляет как теоретический, так и практический опыт. В условиях усиления глобальной конкуренции в полупроводниковой отрасли такие проекты подчеркивают стратегическое стремление России к технологической независимости и инновациям в микроэлектронике. Посмотрите видео, чтобы понять, как это исследование может сформировать будущее силовой электроники и передового проектирования микросхем. #Россия #Полупроводники #GaN #Микроэлектроника #СиловаяЭлектроника #МИЭТ #Технологии #Микросхемы #SiC #Инновации #Электроника #Инженерноедело #БудущиеТехнологии #Транзисторы #НИОКР Станьте участником и получите эксклюзивные привилегии - / @altitudeaddicts Twitter: https://x.com/AltitudeAddicts Веб-сайт: https://www.altitudeaddicts.com