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[전기전자 강의] 트랜지스터 35. PNP 달링턴 회로( Darlington circuit )의 전류증폭률 산출 과 베이스-에미터 사이 저항의 존재 이유.
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[전기전자 강의] 트랜지스터 35. PNP 달링턴 회로( Darlington circuit )의 전류증폭률 산출 과 베이스-에미터 사이 저항의 존재 이유.
교육 의뢰 : [email protected] ; ( 반도체 ) 장비 개발, 전기 전자 기초 및 실무. BJT는 NPN 형태에 익숙해서 PNP 형태로 나오면 약간 당황스러울 수 있습니다. 그런데 아주 간결하게 PNP 형태의 달링턴 회로도 전류증폭률을 도출해 낼 수 있습니다. 그러면 달링턴 회로의 실용적 쓰임새를 볼 때, 베이스와 에미터 사이에 저항이 붙어 있는 형태를 주로 볼 수 있습니다. 왜 하필 그쪽에 저항이 달려 있어야 할까요? 그것을 설명합니다. 식 전개에서 (1+β)(1+β)IB1=IB1+2βIB1+β^2IB1 인데 1+2βIB1+β^2IB1 로 전개 했군요. 오기입니다. 그러나 결과는 1이 워낙 작기 때문에 같습니다.
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