中國標準的3nm制程，台積電的N3達不到3nm的標準水平，三星的MBCFET又良率太低，中科院的VSAFET(垂直GAA) 卻達準及較高良率，DUV光刻都做得到。 скачать в хорошем качестве
中國標準的3nm制程，台積電的N3達不到3nm的標準水平，三星的MBCFET又良率太低，中科院的VSAFET(垂直GAA) 卻達準及較高良率，DUV光刻都做得到。
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