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驚天機密!美國施壓台積電交出2納米,張忠謀暗中反擊!中科1 5兆神秘工廠曝光,1納米技術死守台灣! 👇 歡迎在評論區討論: 喜歡這類全球科技博弈解析,別忘了「訂閱 + 開啟小鈴鐺」,第一時間獲取半導體產業最新動態與深度分析! 咱們先談談台積電1.4納米工廠低調動工背後的深遠意義。為何它在此時間點以這種方式啓動建設,會對全球半導體格局產生如此大的影響?原來,2025年11月5日,在台中科學園區內,台積電的1.4納米晶圓廠在沒有任何儀式的情況下,便啓動了機台安裝工程。儘管過程極其低調,但這座晶圓25廠1.5兆新台幣的投資,實則刷新了台灣單一產業的投資記錄。這個金額確實令人驚歎。那麼,其量產時間表是否也具有特別的意義呢? 當然,它2028年量產的目標,無疑是為正在放緩的摩爾定律注入了一劑強心針。尤其在當前AI算力競爭激烈、地緣政治複雜多變的背景下,台積電的這一選擇,實則正在悄然重塑全球半導體產業的權力版圖。 那麼,台積電的1.4納米制程,究竟在技術上有哪些突破性進展?這些進展又能為實際產品帶來哪些改變? 這1.4納米制程,代號A14,是一次在晶體管架構、能耗控制及密度提升上的全方位革新。與2納米制程相比,在相同功耗下,其速度可提升15%;或者説,在相同速度下,功耗可降低30%。同時,其器件密度也提升了20%。聽起來提升確實非常顯著。 這些提升將使未來的AI芯片能以更低的能耗處理更復雜的任務;手機續航可增加兩到三個小時;高端顯卡能在4K環境下實現更高的幀率,同時大幅降低運行溫度。這真是太棒了! 那麼,GAAFET和NanoFlexPro在這1.4納米制程中究竟扮演了什麼樣的關鍵角色? 這一代1.4納米制程採用的是第二代GAAFET(Gate-All-AroundFET,環繞柵極晶體管)技術。你可以將其想象成是從傳統的FinFET立體鰭片結構,轉變為環繞式的公寓。這種柵極能夠完全包裹住溝道,從而非常有效地減少漏電,並使晶體管的開關動作更加精準和高效。 這個比喻真的很形象!那麼NanoFlexPro又帶來了哪些不同的變化呢? NanoFlexPro就像是一個非常精密的城市規劃。它能使元件排布更加緊密,從而在同樣大小的晶圓上容納更多的晶體管。因此,這兩項技術結合起來,能讓芯片性能實現指數級提升。 為什麼台積電在推進1.4納米甚至更先進製程時,偏偏沒有選擇ASML最新的High-NAEUV光刻機呢? 實際上,業界普遍認為High-NAEUV是邁向1.4納米和1納米的關鍵技術。因為它能將數值孔徑從0.33提升到0.55,分辨率達到8納米,甚至能實現16納米的最小金屬間距。這確實能在理論上帶來良率和穩定性的提升。然而,一台設備高達四億美元,且ASML一年只能生產五、六台。如此高昂的價格和有限的產能,令台積電望而卻步。 看來這設備不僅昂貴,而且極其稀缺。那台積電是否有其他應對妙招呢? 當然有。台積電的聯合首席運營官曾直言,他喜歡High-NA的能力,但對它的價格並不滿意。因此,台積電選擇了現有EUV設備,結合多圖案化技術和光罩薄膜,形成創新的組合。他們通過優化曝光流程,在現有的0.33NAEUV設備上增加曝光次數,並配合高精度的光罩薄膜以防止灰塵污染。如此一來,他們無需投入巨資購買新設備,也能使1.4納米的良率達標。 台積電這樣做,除了省錢之外,還有其他好處嗎? 好處眾多!首先,他們節省了數百億元的設備採購成本,並避免了對單一設備供應商的依賴。同時,這充分展現了台積電在先進製程研發上深厚的技術實力和靈活應變的能力。 談到台積電1.4納米制程提前達成良率一事,在當前的半導體競爭格局下,其關鍵性何在? 這非常關鍵。因為良率是直接決定盈利能力的核心指標。台積電的1.4納米已提前達標,這意味着他們能比競爭對手更早地為客户提供穩定供貨。這必將直接影響市場份額和客户的選擇。 這是否意味着台積電已在與英特爾等對手的競爭中搶佔了先機?因為英特爾雖宣稱其14A(即1.4納米級工藝)將於2027年量產,但其能否快速提升良率,仍是未知數。台積電方面,憑藉GAAFET和多圖案化工藝的積累,反而有可能在量產效率上實現對競爭對手的反超。 台積電為何能做到1.4納米試產良率超過60%?這個數字背後究竟有何意義? 這背後依托的是他們多年的技術沉澱。從7納米到5納米,再到3納米和2納米,他們每一代製程的良率提升速度都在加快。1.4納米試產良率能達到60%以上,直接緩解了其量產初期的成本壓力。同時也讓蘋果、英偉達等大客户倍感放心,這更有利於台積電鎖定後續訂單。 明白了。那我們接下來談談這1.5兆新台幣的投資是如何分配的。它對全球半導體行業又意味着什麼? 1.5兆新台幣,約合450億美元。這筆投資相當於台灣地區全年GDP的2.5%,甚至超過許多中小型國家的年度財政預算總和。因此,這個數字不僅刷新了台積電自身的投資記錄,也是全球半導體行業歷史上極為龐大的一筆投資。