• ClipSaver
  • dtub.ru
ClipSaver
Русские видео
  • Смешные видео
  • Приколы
  • Обзоры
  • Новости
  • Тесты
  • Спорт
  • Любовь
  • Музыка
  • Разное
Сейчас в тренде
  • Фейгин лайф
  • Три кота
  • Самвел адамян
  • А4 ютуб
  • скачать бит
  • гитара с нуля
Иностранные видео
  • Funny Babies
  • Funny Sports
  • Funny Animals
  • Funny Pranks
  • Funny Magic
  • Funny Vines
  • Funny Virals
  • Funny K-Pop

Reliability and stability of GaN devices - Nicolò Zagni (IUNET-UNIMORE) скачать в хорошем качестве

Reliability and stability of GaN devices - Nicolò Zagni (IUNET-UNIMORE) 2 года назад

скачать видео

скачать mp3

скачать mp4

поделиться

телефон с камерой

телефон с видео

бесплатно

загрузить,

Не удается загрузить Youtube-плеер. Проверьте блокировку Youtube в вашей сети.
Повторяем попытку...
Reliability and stability of GaN devices - Nicolò Zagni (IUNET-UNIMORE)
  • Поделиться ВК
  • Поделиться в ОК
  •  
  •  


Скачать видео с ютуб по ссылке или смотреть без блокировок на сайте: Reliability and stability of GaN devices - Nicolò Zagni (IUNET-UNIMORE) в качестве 4k

У нас вы можете посмотреть бесплатно Reliability and stability of GaN devices - Nicolò Zagni (IUNET-UNIMORE) или скачать в максимальном доступном качестве, видео которое было загружено на ютуб. Для загрузки выберите вариант из формы ниже:

  • Информация по загрузке:

Скачать mp3 с ютуба отдельным файлом. Бесплатный рингтон Reliability and stability of GaN devices - Nicolò Zagni (IUNET-UNIMORE) в формате MP3:


Если кнопки скачивания не загрузились НАЖМИТЕ ЗДЕСЬ или обновите страницу
Если возникают проблемы со скачиванием видео, пожалуйста напишите в поддержку по адресу внизу страницы.
Спасибо за использование сервиса ClipSaver.ru



Reliability and stability of GaN devices - Nicolò Zagni (IUNET-UNIMORE)

This lecture on reliability and stability of GaN devices was given by Nicolò Zagni of IUNET-UNIMORE on the YESvGaN-TRANSFORM-PowerElec Phd summer school in Ghent, Belgium. More information about the summer school can be found here: https://yesvgan.eu/en/summer_school_2023 This summer school has been made possible through the support of the Flemish Government and the Doctoral Schools of Ghent University. The YESvGaN project has received funding by the ECSEL JU under Grant Agreement No 101007229. The TRANSFORM project has received funding by KDT JU under Grant Agreement No 101007237. The JU receives support from the European Union’s Horizon 2020 research and innovation programme and Germany, France, Belgium, Austria, Sweden, Spain, Italy. The PowerElec project has received funding by the EMPIR initiative (grant no 20IND09). The EMPIR initiative is co-funded by the European Union’s Horizon 2020 research and innovation programme and the EMPIR Participating States.

Comments
  • Industrialization, standardization and packaging - Martin Rittner (Bosch) 2 года назад
    Industrialization, standardization and packaging - Martin Rittner (Bosch)
    Опубликовано: 2 года назад
  • Wide band gap power transistors for electrified mobility - Klaus Heyers (Bosch) 2 года назад
    Wide band gap power transistors for electrified mobility - Klaus Heyers (Bosch)
    Опубликовано: 2 года назад
  • Epitaxial growth of GaN and SiC - Bernd Schineller (AIXTRON SE) 2 года назад
    Epitaxial growth of GaN and SiC - Bernd Schineller (AIXTRON SE)
    Опубликовано: 2 года назад
  • When Noise is the Signal: Highlights in Qubit-Based Quantum Spectral Estimation Трансляция закончилась 3 года назад
    When Noise is the Signal: Highlights in Qubit-Based Quantum Spectral Estimation
    Опубликовано: Трансляция закончилась 3 года назад
  • [2025] Bypassing nonlocal phenomena in metals using phonon-polaritons 6 дней назад
    [2025] Bypassing nonlocal phenomena in metals using phonon-polaritons
    Опубликовано: 6 дней назад
  • Вебинар «Сверхкомпактные DC/DC-преобразователи с GaN» 1 месяц назад
    Вебинар «Сверхкомпактные DC/DC-преобразователи с GaN»
    Опубликовано: 1 месяц назад
  • What's Not to Like About GaN? 6 месяцев назад
    What's Not to Like About GaN?
    Опубликовано: 6 месяцев назад
  • YESvGaN-TRANSFORM-PowerElec PhD summer school 2023
    YESvGaN-TRANSFORM-PowerElec PhD summer school 2023
    Опубликовано:
  • GaN High Electron Mobility Transistors for power switching applications - Farid Medjdoub (CNRS-IEMN) 3 года назад
    GaN High Electron Mobility Transistors for power switching applications - Farid Medjdoub (CNRS-IEMN)
    Опубликовано: 3 года назад
  • What is GaN (Gallium Nitride)? Power Integrations Explains GaN Technology - Part 1 4 года назад
    What is GaN (Gallium Nitride)? Power Integrations Explains GaN Technology - Part 1
    Опубликовано: 4 года назад
  • Калифорния выпустила 10 000 лососей в мертвую реку — неожиданный результат 3 дня назад
    Калифорния выпустила 10 000 лососей в мертвую реку — неожиданный результат
    Опубликовано: 3 дня назад
  • Gallium Nitride (GaN) High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) with Thick Copper Metallization for 3 года назад
    Gallium Nitride (GaN) High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) with Thick Copper Metallization for
    Опубликовано: 3 года назад
  • Śnieżny koszmar. Noc w samochodach na S7 2 часа назад
    Śnieżny koszmar. Noc w samochodach na S7
    Опубликовано: 2 часа назад
  • Designing with GaN? Ask the Right Questions about Reliability -- Texas Instruments and Mouser 3 года назад
    Designing with GaN? Ask the Right Questions about Reliability -- Texas Instruments and Mouser
    Опубликовано: 3 года назад
  • Electrothermal Characterisation and Reliability of SiC Power MOSFETs | Dr Jose Ortiz Gonzalez 4 года назад
    Electrothermal Characterisation and Reliability of SiC Power MOSFETs | Dr Jose Ortiz Gonzalez
    Опубликовано: 4 года назад
  • Китай вскрыл Луну: Что на самом деле нашли на обратной стороне? 6 дней назад
    Китай вскрыл Луну: Что на самом деле нашли на обратной стороне?
    Опубликовано: 6 дней назад
  • GaN Epitaxy: Novel Aspects and Perspectives - Bernd Schniller (AIXTRON) 3 года назад
    GaN Epitaxy: Novel Aspects and Perspectives - Bernd Schniller (AIXTRON)
    Опубликовано: 3 года назад
  • Появляется новый тип искусственного интеллекта, и он лучше, чем LLMS? 2 дня назад
    Появляется новый тип искусственного интеллекта, и он лучше, чем LLMS?
    Опубликовано: 2 дня назад
  • Czy Chiny szykują się na upadek Rosji? 23 часа назад
    Czy Chiny szykują się na upadek Rosji?
    Опубликовано: 23 часа назад
  • 20A - (Ultra) Wide-Bandgap: Gallium Nitride HEMT Explained, normally-on, normally-off 2 года назад
    20A - (Ultra) Wide-Bandgap: Gallium Nitride HEMT Explained, normally-on, normally-off
    Опубликовано: 2 года назад

Контактный email для правообладателей: [email protected] © 2017 - 2025

Отказ от ответственности - Disclaimer Правообладателям - DMCA Условия использования сайта - TOS



Карта сайта 1 Карта сайта 2 Карта сайта 3 Карта сайта 4 Карта сайта 5