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二維半導體/寬能隙半導體異質結構之磊晶技術、特性分析、研發挑戰及未來發展｜閎康科技Ｘ周武清教授｜2025 H1 MAFT 矽探未來 – AI x 矽光子的智慧尋機
4 дня назад
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二維半導體/寬能隙半導體異質結構之磊晶技術、特性分析、研發挑戰及未來發展｜閎康科技Ｘ周武清教授｜2025 H1 MAFT 矽探未來 – AI x 矽光子的智慧尋機
以寬能隙半導體所製造之高頻率及高功率電子元件具備卓越之品質因子，因此其材料研發與元件製造技術極度受到關注。另一方面，二維半導體因其特殊的材料特性，在小尺寸與低功耗電子元件的應用深具潛力。整合二維半導體與寬能隙半導體除了可以創造新穎材料特性，而且所製造的半導體元件更能整合其材料特性與發揮元件特色而極具應用前景與潛力。可是，這兩種半導體迥異的晶體特性，造成整合此二者之磊晶技術與元件製作極具挑戰而值得仔細分析與研發。本次MAFT技術發表會將簡介二維半導體/寬能隙半導體異質結構之磊晶技術、特性分析、研發挑戰及未來發展，期待對此領域之研發有所貢獻。 ✔影片重點看這裡 00:45 Micro-LEDs高效能運算領域中，最大的優勢和挑戰是什麼？ 01:46 目前 AI 晶片與 GPU 之間的互連技術多樣化，您認為未來 Micro-LEDs 是否會成為主流選擇？ 02:41 Micro-LEDs未來有哪些應用與技術突破，帶來創新與效能提升？ 03:36 這場技術發表會，帶給聽眾什麼幫助？ #寬能隙半導體 #二維半導體 #maft
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